产品概述：
霍尔效应测试系统是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。仪器轻巧方便，易于携带，为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍耳测量复杂的切矩阵开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。
系统构成：
电磁铁、高精度电源、高斯计、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔探头、电缆、标准样品、样品安装架、系统软件。
可测试材料:
半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等；低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等；
高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。
型号类别：
JH60A(电磁铁型）、JH60B(高磁场型）、JH60C(高低温磁场型型）、JH60D(低温型）、JH60E(高阻型）
技术指标：
JH60A-电磁铁型
※ 磁 场：间距 10mm情况下10000 高斯，间距20mm 情况下6000 高斯。
※ 样品电流：50nA~50mA（最小可调节电流为 0.1nA）
※ 测量电压：0.1uV~30V
※提供各类测试标准材料，各级别霍尔器件（灵敏度与精度不同）
※ 最小分辨率：1GS
※ 磁场范围：0-±1T
※ 配合高斯计或数采板可与计算机通讯
※ I-V 曲线及 I-R 曲线测量等
※ 电阻率范围：5*10-5~5*102Ω.cm
※ 电阻范围：10m Ohms~6MOhms
※ 载流子浓度：5*1012~51*1020cm-3
※ 霍尔系数：±1*10-2~±1*106cm3/C
※ 迁移率：0.1~108cm2/volt*sec
※ 测试全自动化，一键处理
※ 专业的欧姆接触组合套件
JH60B-高磁场型
※ 磁 场：间距 10mm情况下10000 高斯，间距20mm 情况下8000 高斯
※ 样品电流：0.05uA~50mA（最小可调节电流为 0.1nA）
※ 测量电压：0.1uV~30V
※ 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）
※ 最小分辨率：0.1GS
※ 磁场范围：0-1T
※ 配合高斯计或数采板可与计算机通讯
可实现相同温差间的连续测量
※ I-V 曲线及 I-R 曲线测量等
※ 电阻率范围：5*10-5~5*102Ω.cm
※ 电阻范围：10m Ohms~6MOhms
※ 载流子浓度：5*1012~51*1020cm-3
※ 霍尔系数：±1*10-2~±1*106cm3/C
※ 迁移率：0.1~108cm2/volt*sec
※ 测试全自动化，一键处理
JH60C-高低温磁场型
※ 磁 场：间距 10mm情况下10000 高斯，间距20mm 情况下8000 高斯
※ 样品电流：0.05uA~50mA（最小可调节电流为 0.1nA）
※ 测量电压：0.1uV~30V
※ 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）
※ 最小分辨率：0.1GS
※ 磁场范围：0-1T
※ 配合高斯计或数采板可与计算机通讯
※ I-V 曲线及 I-R 曲线测量等
※ 电阻率范围：5*10-5~5*102Ω.cm
※ 电阻范围：10m Ohms~6MOhms
※ 载流子浓度：5*1012~51*1020cm-3
※ 霍尔系数：±1*10-2~±1*106cm3/C
※ 迁移率：0.1~108cm2/volt*sec
※ 控温精度：0.1K
※ 温区：78K-475K,室温-773K（选配）
※ 测试全自动化，一键处理
※ 可实现相同温差间的连续测量
JH60D-低温型
※ 磁 场：间距 10mm情况下10000 高斯，间距20mm 情况下8000 高斯
※ 样品电流：0.05uA~50mA（最小可调节电流为 0.1nA）
※ 测量电压：0.1uV~30V
※ 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）
※ 最小分辨率：0.1GS
※ 磁场范围：0-1T
※ 配合高斯计或数采板可与计算机通讯
※ I-V 曲线及 I-R 曲线测量等
※ 电阻率范围：5*10-5~5*102Ω.cm
※ 电阻范围：10m Ohms~6MOhms
※ 载流子浓度：5*1012~51*1020cm-3
※ 霍尔系数：±1*10-2~±1*106cm3/C
※ 迁移率：0.1~108cm2/volt*sec
※ 温控精度：0.1K
※ 温区：78K-325K，4K-325K（选配）
※ 测试全自动化，一键处理
※ 可实现相同温差间的连续测量
JH60E-高阻型
※ 磁 场：间距 10mm情况下10000 高斯，间距20mm 情况下8000 高斯
※ 样品电流：0.05uA~50mA（最小可调节电流为 0.1nA）
※ 测量电压：0.1uV~30V
※ 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓
（灵敏度与精度不同）
※ 最小分辨率：0.1GS
※ 磁场范围：0-1T
※ 配合高斯计或数采板可与计算机通讯
※ I-V 曲线及 I-R 曲线测量等
※ 电阻率范围：5*10-4~108Ω.cm
※ 电阻范围：10mΩ~100GΩ
※ 载流子浓度：6*108~1023cm-3
※ 霍尔系数：±1*105~±1*1010cm3/C
※ 迁移率：0.1~106cm2/vs
※ 温控精度：0.1K
※ 温区：4K-773K（选配）
※ 测试全自动化，一键处理
